IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223 (SPN02N60C3 E6433)
Part Number: SPN02N60C3 E6433
Documents / Media: datasheets SPN02N60C3 E6433
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: CoolMOS™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.1A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.9V @ 80µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 200pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.8W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-SOT223-4
- Корпус: TO-261-4, TO-261AA
Цена по запросу